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标题
Gate stack technology for advanced high-mobility Ge-channel metal-oxide-semiconductor devices – Fundamental aspects of germanium oxides and application of plasma nitridation technique for fabrication of scalable oxynitride dielectrics
相关领域
材料科学 锗 光电子学 电子迁移率 栅极电介质 电介质 MOSFET 制作 半导体 工程物理 纳米技术 晶体管 电子工程 硅 电气工程 工程类 病理 电压 医学 替代医学
网址
https://doi.org/10.1016/j.cap.2012.04.025
DOI
10.1016/j.cap.2012.04.025 doi
其它 期刊：Current Applied Physics
作者：Heiji Watanabe; Katsuhiro Kutsuki; Kasuya Atsushi; Iori Hideshima; Gaku Okamoto; et al
出版日期：2012-04-26
求助人
酷炫的之柔 在 2025-11-06 21:27:13 发布自北京，悬赏 10 积分
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