P–N Junction Diode Using Plasma Boron-Doped Black Phosphorus for High-Performance Photovoltaic Devices

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标题	P–N Junction Diode Using Plasma Boron-Doped Black Phosphorus for High-Performance Photovoltaic Devices 用于高性能光伏器件的等离子体掺硼黑磷P-N结二极管相关领域材料科学光电子学等离子体二极管硼兴奋剂光伏系统黑磷 p-n结工程物理纳米技术半导体电气工程化学工程类物理有机化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.8b07730
DOI	10.1021/acsnano.8b07730 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Dae-Kyoung Kim; Seok-Bo Hong; Kwangsik Jeong; Changmin Lee; Hyoungsub Kim; et al 出版日期：2019-02-12
求助人	淡淡晓槐在 2025-08-27 00:07:41 发布自浙江，悬赏 10 积分
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