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  Exploration of underlap induced high-k spacer with gate stack on strain channel cylindrical nanowire FET for enriched performance 应变沟道圆柱形纳米线场效应晶体管上栅极叠层下诱导高k间隔层增强性能的探索
相关领域
跨导
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应变工程
电子迁移率
异质结
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纳米技术
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电压
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期刊：Scientific Reports 作者：Rasmita Barik; Rudra Sankar Dhar; Mousa Hussein 出版日期：2024-02-05 |
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