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 Analysis of III-V material-based dual source T-channel junction-less TFET with metal implant for improved DC and RF performance 基于III-V材料的金属注入双源T沟道无结TFET提高直流和射频性能的分析
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对偶（语法数字）
材料科学
光电子学
金属
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期刊：Micro and Nanostructures 作者：Aadil Anam; S. Intekhab Amin; Dinesh Prasad; Naveen Kumar; Sunny Anand 出版日期：2023-06-11 |
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