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 Characteristics of Oxide TFT Using Carbon-Doped Ιn2O3 Thin Film Fabricated by Low-Temperature ALD Using Ethylcyclopentadienyl Indium (Ιn-EtCp) and H2O & O3 乙基环戊二烯基铟（H2O&O3）低温ALD法制备碳掺杂型H2N2O3氧化物薄膜TFT的特性
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期刊：ECS Transactions 作者：Riku Kobayashi; Toshihide Nabatame; Kazunori Kurishima; Takashi Onaya; Akihiko Ohi; et al 出版日期：2019-10-05 |
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