Temperature dependence of the piezoelectric field in GaInN/GaN quantum wells and its impact on the device performance

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标题	Temperature dependence of the piezoelectric field in GaInN/GaN quantum wells and its impact on the device performance GaInN/Eu量子井中压场的温度依赖性及其对器件性能的影响相关领域压电材料科学量子阱光电子学凝聚态物理领域（数学）蓝移热的二极管光子能量光子光致发光光学复合材料物理热力学纯数学激光器数学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0211934
DOI	10.1063/5.0211934 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：C. Park; Jong‐In Shim; Dong‐Soo Shin; Dong‐Pyo Han 出版日期：2024-08-15
求助人	magiczhu 在 2025-05-25 22:18:35 发布自江苏，悬赏 10 积分
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