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标题
Demonstration of a GaN-based P-channel FinFET with high current density based on multi-channel structure
基于多沟道结构的GaN基高电流密度P沟道FinFET演示
网址
DOI
10.1063/5.0258789 doi
其它 期刊:Applied Physics Letters
作者:Xu Liu; Shengrui Xu; Tao Zhang; Hongchang Tao; Huake Su; et al
出版日期:2025
求助人
周shang 在 2025-05-22 09:15:17 发布自江西,悬赏 10 积分
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