Review—Recent Advances in Designing Gallium Oxide MOSFET for RF Application

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标题	Review—Recent Advances in Designing Gallium Oxide MOSFET for RF Application 综述-射频应用氧化镓MOSFET设计的最新进展相关领域材料科学 MOSFET 功率MOSFET 光电子学无线电频率工程物理功率半导体器件带隙镓射频功率放大器电气工程饱和速度电子工程晶体管电压工程类 CMOS芯片冶金放大器
网址	https://doi.org/10.1149/2162-8777/aba729
DOI	10.1149/2162-8777/aba729 doi
其它	期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Narendra Yadava; R. K. Chauhan 出版日期：2020-01-08
求助人	舟遥遥在 2025-04-15 10:14:13 发布自陕西，悬赏 10 积分
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