| 标题 |
 Fabrication of High Performance Poly-Si Thin Films Transistors by Nickel Silicide Induced Lateral Crystallization 相关领域
材料科学
硅化物
制作
结晶
光电子学
镍
薄膜晶体管
冶金
硅
纳米技术
化学工程
图层（电子）
工程类
医学
病理
替代医学
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期刊：Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays 作者：彭尚龙 PENG Shang-long; 胡多凯 HU Duo-kai; 贺德衍 HE De-yan 出版日期：2012-01-01 |
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