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标题
Interface Structure and Doping of Chemical Vapor Deposition‐Grown MoS2 on 4H–SiC by Microscopic Analyses and Ab Initio Calculations
4H-SiC上化学气相沉积MoS2的界面结构和掺杂
相关领域
悬空债券 材料科学 单层 兴奋剂 从头算 密度泛函理论 化学气相沉积 范德瓦尔斯力 外延 拉曼光谱 钝化 结晶学 计算化学 纳米技术 硅 化学 光电子学 分子 图层（电子） 物理 光学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1002/pssr.202300218
AI链接 wiley.comdoi.org
DOI
10.1002/pssr.202300218 doi
其它 期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
作者：Salvatore Ethan Panasci; Ioannis Deretzis; Emanuela Schilirò; Antonino La Magna; Fabrizio Roccaforte; et al
出版日期：2023-07-26
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miravai 在 2025-08-19 12:01:43 发布，悬赏 10 积分
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