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 Interface Structure and Doping of Chemical Vapor Deposition‐Grown MoS2 on 4H–SiC by Microscopic Analyses and Ab Initio Calculations 4H-SiC上化学气相沉积MoS2的界面结构和掺杂
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期刊：physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters 作者：Salvatore Ethan Panasci; Ioannis Deretzis; Emanuela Schilirò; Antonino La Magna; Fabrizio Roccaforte; et al 出版日期：2023-07-26 |
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