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 Investigation of CsSn0.5Ge0.5I3-on-Si Tandem Solar Device Utilizing SCAPS Simulation SCAPS模拟研究硅上CsSn0.5 Ge 0.5 I3-on-Si串联太阳能器件
相关领域
串联
带隙
物理
计算机科学
材料科学
光电子学
复合材料
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Md Tohidul Islam; Md. Rafsun Jani; Azmain Faek Islam; Kazi Md. Shorowordi; Shaestagir Chowdhury; et al 出版日期：2021-01-05 |
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