Surface reaction mechanisms of SiH4 and Si2H6 for epitaxial silicon growth on Si(100): Effects of hydrogen coverage

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标题	Surface reaction mechanisms of SiH4 and Si2H6 for epitaxial silicon growth on Si(100): Effects of hydrogen coverage
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2026.111302 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：D. Yoon; Seokmin Oh; Seonwoong Jung; Hyerin Shin; Jungwoo Kim; et al 出版日期：2027-01-01
求助人	Leo 在 2026-11-02 21:43:21 发布自中国台湾，悬赏 10 积分
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