Junction Field‐Effect Transistors Based on PdSe2/MoS2 Heterostructures for Photodetectors Showing High Responsivity and Detectivity

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标题	Junction Field‐Effect Transistors Based on PdSe2/MoS2 Heterostructures for Photodetectors Showing High Responsivity and Detectivity
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202106105
DOI	10.1002/adfm.202106105 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Haoyun Wang; Zexin Li; Dongyan Li; Xiang Xu; Ping Chen; et al 出版日期：2021-09-04
求助人	HOPKINSON 在 2026-10-18 16:03:02 发布自中国，悬赏 10 积分
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