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TLP-based comparative analysis of gate-source ESD failure behavior in commercial E-mode 650 V p-GaN HEMTs |
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期刊:Microelectronics Journal 作者:Shi-Jin Liu; Ying Wang; Cheng-Hao Yu; Hao-Min Guo 出版日期:2026-09-01 |
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(2025-6-4)