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 Development of GaN HEMTs Fabricated on Silicon, Silicon-on-Insulator, and Engineered Substrates and the Heterogeneous Integration 硅、绝缘体上硅和工程衬底上GaN HEMTs的发展及其异质集成
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
绝缘体上的硅
光电子学
外延
硅
CMOS芯片
基质（水族馆）
工程物理
电子工程
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电压
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工程类
地质学
海洋学
图层（电子）
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期刊：Micromachines 作者：Lewis Hsu; Yung-Yu Lai; Po-Min Tu; Catherine Langpoklakpam; Ya‐Ting Chang; et al 出版日期：2021-09-27 |
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