Enabled enhancement mode β-Ga2O3 MOSFETs with high-κ HfO2 gate dielectric and non-recess structure

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标题	Enabled enhancement mode β-Ga2O3 MOSFETs with high-κ HfO2 gate dielectric and non-recess structure
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.mtadv.2026.100760
DOI	10.1016/j.mtadv.2026.100760 doi
其它	期刊：Materials Today Advances 作者：Chun-Chia Chang; Sheng-Ti Chung; Ching-Ho Tien; Siddharth Rana; Kenneth Järrendahl; et al 出版日期：2026-06-01
求助人	王泽在 2026-08-15 18:01:50 发布自上海，悬赏 10 积分
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