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Vertical β-Ga2O3 Planar-Gate MOSFET With Nitrogen-Implanted Quasi-Inversion Channel |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zhenghua Wang; Lei Yuan; Kui-Yu Fan; Jiuqi Luo; Liangliang Guo; et al 出版日期:2026-05-01 |
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(2025-6-4)