Cryogenic cyclical etching of Si using CF4 plasma passivation steps: The role of CF radicals

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标题	Cryogenic cyclical etching of Si using CF4 plasma passivation steps: The role of CF radicals
网址	https://doi.org/10.1063/5.0245217
DOI	10.1063/5.0245217 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jack Nos; Sylvain Iséni; M. Kogelschatz; Gilles Cunge; Philippe Lefaucheux; et al 出版日期：2025-01-20
求助人	义气的无施在 2026-09-19 23:19:57 发布自北京，悬赏 10 积分
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