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Performance of Sub-5 nm field-effect transistors based on ZrS2/ NbTe2 heterojunction from quantum transport simulations
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DOI
10.1016 doi
提醒:求助人提供的doi与AI识别不一致 10.1016/j.cjph.2025.09.027 Doi
求助人
满意青筠 在 2025-11-18 22:42:04 发布自北京,悬赏 10 积分
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