Performance of Sub-5 nm field-effect transistors based on ZrS2/NbTe2 heterojunction from quantum transport simulations

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作者
Songyang Li,Xu Li,Jingjun Chen,Zelong Ma,Danni Wang,Pengfei Lu,Wenjie Chen,Baoan Bian,Bin Liao
出处
期刊:Chinese Journal of Physics [Elsevier BV]
卷期号:98: 324-335
标识
DOI:10.1016/j.cjph.2025.09.027
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