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 GaN planar SBD grown and fabricated on SiC substrate with a cutoff frequency of 2.17 THz 在SiC衬底上生长和制作截止频率为2.17 THz的GaN平面SBD
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Guodong Gu; Xiaolin Hao; Yawei Wang; Xubo Song; Lisen Zhang; et al 出版日期：2024-11-21 |
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