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 Characteristics of PEALD–Hafnium Dioxide Films and their Application to Gate Insulator Stacks of Photosynaptic Transistors PEALD-二氧化铪薄膜的特性及其在光突触晶体管栅极绝缘体堆叠中的应用
相关领域
材料科学
光电子学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Jieun Kim; Jung Wook Lim; Jaehee Lee 出版日期：2021-12-10 |
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