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  TEM investigation of the interface formation during transfer of 3C-SiC(001) layer onto 6H-SiC(0001) wafer 3C-SiC（001）层转移到6H-SiC（0001）晶片上界面形成的TEM研究
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：A. V. Myasoedov; M. G. Mynbaeva; S.P. Lebedev; S. Iu. Priobrazhenskii; D. G. Amel’chuk; et al 出版日期：2024-09-19 |
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