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Radiation Hardness on Dielectric/Ferroelectric Stacked Negative Capacitance Multigate Metal–Oxide–Semiconductor FETs at Sub-3-nm Technology Node: Device to CMOS Inverter Layout 亚3纳米技术节点下电介质/铁电堆叠负电容多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的辐射硬度:器件到CMOS反相器布局
相关领域
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期刊:IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation 作者:Sresta Valasa; Venkata Ramakrishna Kotha; Narendar Vadthiya 出版日期:2025-06-20 |
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