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标题
Radiation Hardness on Dielectric/Ferroelectric Stacked Negative Capacitance Multigate Metal–Oxide–Semiconductor FETs at Sub-3-nm Technology Node: Device to CMOS Inverter Layout
亚3纳米技术节点下电介质/铁电堆叠负电容多栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的辐射硬度:器件到CMOS反相器布局
相关领域
材料科学 光电子学 电容 CMOS芯片 辐射硬化 铁电性 电介质 逆变器 栅极电介质 节点(物理) 金属浇口 负阻抗变换器 栅氧化层 氧化物 辐射 电气工程 电子工程 晶体管 电压 工程类 光学 化学 电极 物理 电压源 物理化学 结构工程 冶金
网址
DOI
10.1109/tdei.2025.3582236 doi
其它 期刊:IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation
作者:Sresta Valasa; Venkata Ramakrishna Kotha; Narendar Vadthiya
出版日期:2025-06-20
求助人
李沐唅 在 2025-12-04 14:04:57 发布自贵州,悬赏 10 积分
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