Surface stoichiometry modification and improved DC/RF characteristics by plasma treated and annealed AlGaN/GaN HEMTs

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标题	Surface stoichiometry modification and improved DC/RF characteristics by plasma treated and annealed AlGaN/GaN HEMTs
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2017.11.001
DOI	10.1016/j.sse.2017.11.001 doi
其它	期刊：Solid-State Electronics 作者：Bhanu B. Upadhyay; Kuldeep Takhar; Jaya Jha; Swaroop Ganguly; Dipankar Saha 出版日期：2018
求助人	lu 在 2026-01-29 15:04:14 发布自浙江，悬赏 10 积分
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