Comprehensive TCAD-Based Validation of Interface Trap-Assisted Ferroelectric Polarization in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memory

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标题	Comprehensive TCAD-Based Validation of Interface Trap-Assisted Ferroelectric Polarization in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memory
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2022.3144965
DOI	10.1109/ted.2022.3144965 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kitae Lee; Sihyun Kim; Munhyeon Kim; Jong-Ho Lee; Daewoong Kwon; et al 出版日期：2022-03-01
求助人	kai 在 2026-10-19 11:39:28 发布自湖南，悬赏 10 积分
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