Leakage Current Modelling and Optimization of β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode with Ni Contact under High Reverse Voltage

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标题	Leakage Current Modelling and Optimization of β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diode with Ni Contact under High Reverse Voltage
网址	https://doi.org/10.1149/2162-8777/abc834
DOI	10.1149/2162-8777/abc834 doi
其它	期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Madani Labed; Nouredine Sengouga; Afak Meftah; Mohamed Labed; Sinsu Kyoung; et al 出版日期：2020-11-06
求助人	vesper 在 2026-10-31 20:14:04 发布自江西，悬赏 10 积分
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