Experimental demonstration and mechanism study of single-event gate leakage current in 4H-SiC power MOSFET with top oxide and double P-well structures

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标题	Experimental demonstration and mechanism study of single-event gate leakage current in 4H-SiC power MOSFET with top oxide and double P-well structures
网址	http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/adee8a
DOI	10.1088/1674-1056/adee8a doi
其它	期刊：Chinese Physics B 作者：Yin 寅 Luo 罗; Keyu 科宇 Liu 刘; Hao 昊 Yuan 袁; Zhiwen 质文 Zhang 张; Chao 超 Han 韩; et al 出版日期：2025-09-01
求助人	wl 在 2026-11-04 19:14:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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