Etch profiles in silicon in SF 6 and O 2 plasma based on etch-depth-dependent O/F transport gradient model

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标题	Etch profiles in silicon in SF 6 and O 2 plasma based on etch-depth-dependent O/F transport gradient model
网址	http://dx.doi.org/10.35848/1347-4065/ae5ab3
DOI	10.35848/1347-4065/ae5ab3 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Shuto Tsuchioka; Tran Trung Nguyen; Kenichi Inoue; Takayoshi Tsutsumi; Thi-Thuy-Nga Nguyen; et al 出版日期：2026-04-23
求助人	流浪在 2026-07-17 01:27:57 发布自澳大利亚，悬赏 10 积分
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