| 标题 |
Performance Analysis of AlGaN/GaN HEMTs with InGaN and Graded InGaN Back-Barrier Structures |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Semiconductors (Woodbury, N.Y.) 作者:Bathlin Nelmin N; R. S. Shaji; E. Rajasherin; M. Savio 出版日期:2026-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)