High-Throughput Monolithic 3D Multi-bit Vertical 2TnF Ferroelectric Gain Cells for Computing-in-Memory to Accelerate Attention Mechanism in Transformer

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标题	High-Throughput Monolithic 3D Multi-bit Vertical 2TnF Ferroelectric Gain Cells for Computing-in-Memory to Accelerate Attention Mechanism in Transformer
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx8/11353461/11353475/113535...
DOI	10.1109/iedm50572.2025.11353537 doi
其它	期刊：2025 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Mingcheng Shi; Yi Ding; Yuyan Wang; Bowen Shen; Benjamin Yang; et al 出版日期：2026-01-31
求助人	美满的砖头在 2026-07-02 21:39:31 发布自浙江，悬赏 10 积分
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