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 Gate Driver Design for SiC Power MOSFETs With a Low-Voltage GaN HEMT for Switching Loss Reduction and Gate Protection 具有低压GaN HEMT的SiC功率MOSFET栅极驱动器设计，用于降低开关损耗和栅极保护
相关领域
高电子迁移率晶体管
门驱动器
材料科学
MOSFET
逻辑门
电气工程
地面弹跳
阈值电压
光电子学
电压
晶体管
栅氧化层
工程类
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Ji Shu; Jiahui Sun; Zheyang Zheng; Kevin J. Chen 出版日期：2024-01-12 |
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