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A 1.86-kV double-layered NiO/ β -Ga2O3 vertical p–n heterojunction diode 相关领域
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期刊:Applied Physics Letters 作者:H. H. Gong; X. H. Chen; Y. Xu; F.-F. Ren; S. L. Gu; J. D. Ye 出版日期:2020-07-14 |
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