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Modeling the Post-Breakdown I–V Characteristics of Ultrathin SiO2 Films with Multiple Snapbacks 具有多快回的超薄SiO2薄膜击穿后I-V特性的模拟
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期刊:Japanese Journal of Applied Physics 作者:T. P. Chen; Man Siu Tse; Steve Fung 出版日期:2001-07-01 |
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