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 AlN and Al oxy-nitride gate dielectrics for reliable gate stacks on Ge and InGaAs channels 用于Ge和InGaAs沟道上可靠栅极堆叠的AlN和Al氧氮化物栅极电介质
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Yuzheng Guo; Hongfei Li; John Robertson 出版日期：2016-05-24 |
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