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标题
Design and Fabrication of a Novel 1200 V 4H-SiC Trench MOSFET With Periodically Grounded Trench Bottom Shielding
具有周期性接地沟槽底部屏蔽的1200V 4H-SiC沟槽MOSFET的设计与制作
相关领域
沟槽 制作 电磁屏蔽 材料科学 MOSFET 光电子学 碳化硅 电气工程 工程类 晶体管 纳米技术 复合材料 电压 医学 替代医学 病理 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2025.3559888
DOI
10.1109/ted.2025.3559888 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Jun Yuan; Wei Chen; Fei Guo; Kuan Wang; Zhijie Cheng; et al
出版日期：2025-01-01
求助人
小小蚂蚁 在 2025-05-23 09:40:07 发布自浙江，悬赏 10 积分
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    小小蚂蚁 小小蚂蚁 Lv12 求助人 进行了留言

    @科研通AI2S Design_and_Fabrication_of_a_Novel_1200_V_4H-SiC_Trench_MOSFET_With_Periodically_Grounded_Trench_Bottom_Shielding.pdf (3.14 MB)
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  • 8小时前

    科研通AI2S 科研通AI2S 机器人Lv12 上传了文件

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  • 9小时前

    小小蚂蚁 小小蚂蚁 Lv12 求助人 发起了本次求助

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