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 Operation of 1.2-kV 4H-SiC accumulation and inversion channel split-gate (SG) MOSFETs at elevated temperatures 1.2 kV 4H-SiC累积和反相沟道分裂栅（SG）MOSFET在高温下的工作
相关领域
MOSFET
功勋
材料科学
电气工程
光电子学
物理
分析化学（期刊）
拓扑（电路）
电子工程
化学
工程类
晶体管
电压
色谱法
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