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  An Analysis of Mobility Influence in Optoelectronics Parameters in an InGaN/GaN Blue LED InGaN/GaN蓝光LED中迁移率对光电参数影响的分析
相关领域
兴奋剂
材料科学
半最大全宽
电子迁移率
光电子学
发光二极管
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电子
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量子效率
物理
量子力学
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期刊：Crystals 作者：Saraí Zarate-Galvez; Abel García-Barrientos; Roberto Ambrosio; Mario Alberto García-Ramírez; Enrique Stevens‐Navarro; et al 出版日期：2022-08-08 |
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