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 Demonstration of Picosecond 4H-SiC Diode Avalanche Shaper With Voltage Rise Rate of 11.14 kV/ns and Peak Power Density of 62 MW/cm$^2$ 电压上升速率11.14 kV/ns、峰值功率密度62 MW/cm的皮秒4H-SiC二极管雪崩整形器演示$^2$
相关领域
皮秒
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材料科学
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二极管
光电子学
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电气工程
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图层（电子）
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期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Yu Zhou; Xiao-Yan Tang; Qingwen Song; Chao Han; Hao Yuan; et al 出版日期：2021-10-26 |
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