| 标题 |
  VDS and VGS Depolarization Effect on SiC MOSFET Short-Circuit Withstand Capability Considering Partial Safe Failure-Mode 考虑部分安全失效模式时VDS和VGS去极化对SiC MOSFET短路耐受能力的影响
相关领域
热失控
MOSFET
材料科学
失效模式及影响分析
碳化硅
电压
稳健性（进化）
泄漏（经济）
门驱动器
电气工程
光电子学
硅
电子线路
功率（物理）
工程类
晶体管
电池（电）
复合材料
物理
化学
经济
宏观经济学
基因
量子力学
生物化学
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| DOI |
10.3390/en14237960
doi
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| 其它 |
期刊：Energies 作者：Yazan Barazi; Frédéric Richardeau; Wadia Jouha; Jean-Michel Reynès 出版日期：2021-11-29 |
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