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Stress evolution during Ni–Si compound formation for fully silicided (FUSI) gates
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DOI
10.1016/j.mee.2007.05.054 doi
其它 期刊:Microelectronic Engineering
作者:C. Torregiani; C. Van Bockstael; C. Detavernier; C. Lavoie; A. Lauwers; et al
出版日期:2007-06-08
求助人
Salvator 在 2026-06-05 14:23:01 发布自浙江,悬赏 10 积分
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