| 标题 |
 A Modified Approach to Determine the Hall Parameters of?Epitaxial GaSb Grown on Conductive GaSb Substrate 相关领域
外延
材料科学
霍尔效应
基质（水族馆）
光电子学
导电体
凝聚态物理
纳米技术
电阻率和电导率
复合材料
电气工程
物理
海洋学
地质学
工程类
图层（电子）
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| DOI |
10.3938/jkps.55.1331
doi
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期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：S. K. Noh; J. O. Kim; S. J. Lee 出版日期：2009-10-15 |
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