| 标题 |
Revealing the stability and optoelectronic properties of novel nitride and phosphide semiconductors: A DFT prediction 揭示新型氮化物和磷化物半导体的稳定性和光电性质:DFT预测
相关领域
半导体
材料科学
带隙
磷化物
光电子学
直接和间接带隙
磷化镓
氮化物
磷化铟
宽禁带半导体
纳米技术
砷化镓
冶金
镍
图层(电子)
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:Surfaces and Interfaces 作者:Diwen Liu; Huan Peng; Jian Huang; Rongjian Sa 出版日期:2022-01-15 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
|
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)