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Revealing the stability and optoelectronic properties of novel nitride and phosphide semiconductors: A DFT prediction

半导体 材料科学 带隙 磷化物 光电子学 直接和间接带隙 磷化镓 氮化物 磷化铟 宽禁带半导体 纳米技术 砷化镓 冶金 图层(电子)
作者
Diwen Liu,Huan Peng,Jian Huang,Rongjian Sa
出处
期刊:Surfaces and Interfaces [Elsevier]
卷期号:29: 101740-101740 被引量:13
标识
DOI:10.1016/j.surfin.2022.101740
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