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  The Variation of Schottky Barrier Height Induced by the Phase Separation of InAlAs Layers on InP HEMT Devices InP HEMT器件中InAlAs层相分离引起的肖特基势垒高度变化
相关领域
肖特基势垒
材料科学
肖特基二极管
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期刊：Crystals 作者：Sang‐Tae Lee; Minwoo Kong; Hyunchul Jang; Chang-Hun Song; Shin-Keun Kim; et al 出版日期：2022-07-11 |
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