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标题
SiGe vertical NW GAA TFET with improved current and low leakage
具有改进电流和低泄漏的SiGe垂直NW GAA TFET
相关领域
光电子学 材料科学 阈下摆动 排水诱导屏障降低 晶体管 量子隧道 纳米线 MOSFET 阈下传导 绝缘体上的硅 泄漏(经济) 绝缘体(电) 阈下斜率 纳米技术 场效应晶体管 电气工程 电压 工程类 经济 宏观经济学
网址
DOI
10.1016/j.matpr.2022.05.414 doi
其它 期刊:Materials Today: Proceedings
作者:Akshaya Anand; Archana R Nair; Vaishnavi Sreekumar; Viswas Sadasivan; V. Ramakrishnan
出版日期:2022-01-01
求助人
Yuksn 在 2024-02-04 13:11:12 发布自福建,悬赏 10 积分
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