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 Multi-Gate Finger Microwave GaN HEMTs on Si Substrates With Individual Source Vias 具有单个源极通孔的Si衬底上的多栅极指状微波GaN HEMTs
相关领域
光电子学
微波食品加热
材料科学
宽禁带半导体
氮化镓
单片微波集成电路
硅
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电子工程
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图层（电子）
电信
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Lu Hao; Zhihong Liu; Jin Zhou; Xiaoyan Li; Guangjie Gao; et al 出版日期：2024-12-26 |
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