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标题
Improved gradual resistive switching range and 1000× on/off ratio in HfOx RRAM achieved with a Ge2Sb2Te5 thermal barrier
相关领域
电阻随机存取存储器 材料科学 锡 光电子学 热传导 电极 切换时间 蛋白质丝 非易失性存储器 热阻 电压 热的 电气工程 复合材料 化学 物理 工程类 冶金 物理化学 气象学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0101417
DOI
10.1063/5.0101417 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Raisul Islam; Shengjun Qin; Sanchit Deshmukh; Zhouchangwan Yu; Çağıl Köroğlu; et al
出版日期：2022-08-22
求助人
科研皇帝 在 2026-01-08 18:51:58 发布自上海，悬赏 10 积分
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