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  Channel Mobility and Inversion Carrier Density in MFIS FEFET: Deep Insights Into Device Physics for Non-Volatile Memory Applications MFIS FEFET中的沟道迁移率和反转载流子密度：对非易失性存储器应用的器件物理的深入了解
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期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Song‐Hyeon Kuk; Kyul Ko; Bong Ho Kim; Joon Pyo Kim; Jae‐Hoon Han; et al 出版日期：2024-11-27 |
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