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 Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications 模拟应用中从473 K到173 K的n型栅极全方位垂直堆叠纳米片FET的评估
相关领域
晶体管
材料科学
纳米片
光电子学
阈下传导
截止频率
摇摆
电压
场效应晶体管
电气工程
纳米技术
物理
工程类
声学
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Vanessa Cristina Pereira Silva; João Antônio Martino; Eddy Simoen; A. Veloso; Paula Ghedini Der Agopian 出版日期：2023-08-02 |
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